鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

下列是晶體的是（）。 

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）