單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定高度應(yīng)在磚的兩個(gè)（）的中間處分別測(cè)量?jī)蓚€(gè)尺寸。當(dāng)被測(cè)處有缺損或凸出時(shí)，可在其旁邊測(cè)量，但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面1mm
B、條面1mm
C、大面0.5mm
D、條面0.5mm
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1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定寬度應(yīng)在磚的兩個(gè)（）的中間處分別測(cè)量?jī)蓚€(gè)尺寸。當(dāng)被測(cè)處有缺損或凸出時(shí)，可在其旁邊測(cè)量，但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
2.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定長(zhǎng)度應(yīng)在磚的兩個(gè)（）的中間處分別測(cè)量?jī)蓚€(gè)尺寸。當(dāng)被測(cè)處有缺損或凸出時(shí)，可在其旁邊測(cè)量，但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
3.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中尺寸測(cè)量的量具應(yīng)為（）。
A、游標(biāo)卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、磚用卡尺
4.問(wèn)答題裝飾塑料制品的種類(lèi)有哪些？其用途如何？
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述裝飾涂料的主要技術(shù)性質(zhì)。
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如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱(chēng)為（）。
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用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
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在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
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雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
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下列是晶體的是（）。
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CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
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下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
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直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
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載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題