A.滲透
B.清洗
C.觀察
D.顯像
E.上述都包括
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.近表面缺陷
B.表面和近表面缺陷
C.表面缺陷
D.內(nèi)部缺陷
A.與被檢表面形成高對(duì)比度
B.與被檢表面形成低對(duì)比度
C.能粘附在被檢工件表面上
D.磁導(dǎo)率越低越好
A.縱向磁場(chǎng)、橫向缺陷
B.周向磁場(chǎng)、縱向缺陷
C.縱向磁場(chǎng)、縱向缺陷
D.周向磁場(chǎng)、橫向缺陷
A.表面裂紋形成的強(qiáng)
B.近表面裂紋形成的強(qiáng)
C.兩者無區(qū)別
D.上述都不對(duì)
A.材料被磁化難易程度
B.材料中磁場(chǎng)的穿透深度
C.工件需要退磁時(shí)間的長短
D.保留磁場(chǎng)的能力
最新試題
射線照片上一個(gè)細(xì)節(jié)的影像是否能被眼睛識(shí)別出來,最主要的是決定于()
探頭的分辨力()
一個(gè)均勻的輻射光束強(qiáng)度為I0的射線,穿過一個(gè)厚度為X的物質(zhì),其強(qiáng)度降低量為I,可用I=-μI0X表示,μ為比例常數(shù),此式代表什么現(xiàn)象()
不同材料的相對(duì)吸收系數(shù)()
以下哪一種措施不能減小上表面盲區(qū)的影響()
下列對(duì)耦合劑應(yīng)該具有的特點(diǎn)的描述,不正確的一項(xiàng)是()
對(duì)于鉬靶X射線管,在管電壓低于()千伏時(shí)是不會(huì)產(chǎn)生特征X射線的。
二次波檢測(cè)是一種特殊的檢測(cè)工藝,以下關(guān)于二次波檢測(cè)的做敘述,哪一條是錯(cuò)誤的()
康普頓效應(yīng)對(duì)射線檢測(cè)的影響包括()
最容易發(fā)生康普頓效應(yīng)的射線能量為()