A.試件中的變化(如裂紋的存在,金相組織或尺寸的變化)能使二次磁場(chǎng)的相位和振幅發(fā)生變化
B.一次交流電必須是6O周的
C.試件溫度生高
D.Hp(一次磁場(chǎng)強(qiáng)度)和Hs磁場(chǎng)失配使輸出發(fā)生變化
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A.導(dǎo)體表面下的渦流最弱
B.導(dǎo)體內(nèi)的渦流相位是變化的
C.渦流沿直線流動(dòng)
D.沿線圈軸線的渦流最大
A.渦流的數(shù)值大于線圈中的電流值
B.渦流受試件磁導(dǎo)率的影響
C.渦流在導(dǎo)體中無(wú)功率消耗
D.以上都不是
A.只包含缺陷信息而不顯示磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化
B.不包含串音發(fā)生的信號(hào)
C.不包含電噪聲
D.以上都是
A.物體變熱,不能得到信息
B.插入物體抵消了所有信息
C.插入物體會(huì)使二次磁通量增強(qiáng),從而產(chǎn)生一個(gè)新的磁通量,可用它提供試驗(yàn)信息
D.從二次電壓中減去一次電壓,便得到凈電壓
A.渦流
B.一次線圈
C.發(fā)生器
D.以上都是
最新試題
對(duì)某非磁性材料進(jìn)行渦流檢測(cè)時(shí),已知μr=1,f=2kHz,ρ=2O×1O-6Ω·m,試計(jì)算滲透深度值為多少?
對(duì)觀片燈有哪些基本要求?
試驗(yàn)線圈的感抗可用×L=2πfL公式計(jì)算,阻抗可用Z=√Xl2+R2公式計(jì)算。
新置的Ir192γ射線源,其活度為40Ci,現(xiàn)今時(shí)隔300天,已知,Ir192γ射線源的半衰期為75天。求該源現(xiàn)在的活度?該源新置時(shí),對(duì)某工件進(jìn)行射線照相的曝光時(shí)間為4min,若所有條件不變,現(xiàn)今應(yīng)曝光多少分鐘?
什么叫做試驗(yàn)線圈的視在阻抗?它在渦流檢測(cè)中有何作用?
通過(guò)一次線圈的交流電產(chǎn)生一個(gè)磁場(chǎng)并在棒材中產(chǎn)生渦流,二次線圈的電壓取決于()。
交流電流在試驗(yàn)物體中產(chǎn)生渦流。矢量Hs代表試件中的二次交變磁場(chǎng),只有具有哪種作用渦流檢驗(yàn)才有意義()。
寫出VC-S滲透探傷的工藝流程。
什么是實(shí)際焦點(diǎn)和有效焦點(diǎn)?x射線機(jī)說(shuō)明書給出的是哪個(gè)焦點(diǎn)?焦點(diǎn)尺寸如何計(jì)算?
一個(gè)實(shí)心非磁性棒的阻抗圖中,界限頻率fg用哪一個(gè)公式計(jì)算()。