多項(xiàng)選擇題TD->GSM空閑重選過程完成的信令不是()

A.Location_Updating_Complete
B.TMSI_ReAllocation_Complete
C.TMSI_ReAllocation_Command
D.Location_Updating_Accept


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3.多項(xiàng)選擇題下面()屬于小區(qū)尋呼參數(shù)

A.尋呼指示因子長(zhǎng)度
B.UTRAN的K值
C.PICH所在時(shí)隙
D.小區(qū)下行接入功率門限

5.多項(xiàng)選擇題下列參數(shù)中()與小區(qū)切換有關(guān)

A.小區(qū)個(gè)性偏移
B.切換允許下行功率門限
C.層三濾波因子
D.激活因子

最新試題

目前中國(guó)移動(dòng)推薦的上下行時(shí)隙配比為:2:4(或2上4下),采用此配置的非主載波單載波可以支持的最大12.2kAMR話音信道數(shù)為:16個(gè),可以支持的視頻電話數(shù)量為:4個(gè),按照現(xiàn)網(wǎng)設(shè)置,單載波HSDPA理論最大下行速率為()。

題型:填空題

UMTS系統(tǒng)的的測(cè)量控制消息在UE處于哪種狀態(tài)下才能發(fā)起().

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

UMTS系統(tǒng)由CN、UTRAN和UE三部分構(gòu)成,其中UE和UTRAN的接口為:Uu接口,UTRAN內(nèi)NodeB和RNC的接口為Iub接口,RNC與CN的接口為Iu接口,RNC之間的接口為()接口。

題型:填空題

TD和WCDMA中,功率控制分為開環(huán)功控和閉環(huán)功控,其中閉環(huán)功控又分為內(nèi)環(huán)功控、()。

題型:填空題

R4中TD-SCDMA使用的調(diào)制方式有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

TD-SCDMA的每個(gè)業(yè)務(wù)時(shí)隙中攜帶了三種物理層控制信息,其中用于同步調(diào)整的是:SS,用于功率控制的是:TPC,用于指示傳輸格式的是()。

題型:填空題

無線環(huán)境中的衰耗包括慢衰落、()、路徑損耗等,其中快衰落服從瑞利分布。

題型:填空題

對(duì)于1mw的功率,按dBm單位進(jìn)行折算后的值應(yīng)為()dBm。

題型:填空題

TD-SCDMA的物理層中,根據(jù)映射關(guān)系,共分為物理信道,(),邏輯信道三種。

題型:填空題

UE在上行CCCH上發(fā)送一個(gè)RRCConnectionRequest消息,請(qǐng)求建立一條RRC連接。主要參數(shù)為()

題型:多項(xiàng)選擇題