A.2
B.4
C.8
D.16
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.尋呼指示因子長度
B.UTRAN的K值
C.PICH所在時(shí)隙
D.小區(qū)下行接入功率門限
A.小區(qū)個(gè)性偏移
B.濾波因子
C.切換時(shí)間延遲
D.PCCPCHRSCP切換遲滯量
A.小區(qū)個(gè)性偏移
B.切換允許下行功率門限
C.層三濾波因子
D.激活因子
A.周期上報(bào)
B.事件上報(bào)
C.不上報(bào)
D.混合上報(bào)
A.下行DPCH最小發(fā)射功率
B.下行DPCH最大發(fā)射功率
C.傳輸信道BER的濾波因子
D.下行SIR目標(biāo)值的初始值
最新試題
UE的測量報(bào)告是在那個(gè)信道上傳送().
對于1mw的功率,按dBm單位進(jìn)行折算后的值應(yīng)為()dBm。
TD-SCDMA系統(tǒng)共定義了4種時(shí)隙類型,它們是用作上下行同步的()、UpPTS、用來做傳播時(shí)延保護(hù)的GP和TS0~TS6等業(yè)務(wù)時(shí)隙。
TD-SCDMA系統(tǒng)中,同頻測量上報(bào)的事件為(),異頻測量上報(bào)的事件為:2A,異系統(tǒng)測量上報(bào)的事件為:3A。
TD-SCDMA的物理層中,根據(jù)映射關(guān)系,共分為物理信道,(),邏輯信道三種。
HSDPA中的伴隨DPCH時(shí)分復(fù)用技術(shù)的主要目的是().
無線環(huán)境中的衰耗包括慢衰落、()、路徑損耗等,其中快衰落服從瑞利分布。
TD-SCDMA系統(tǒng)每個(gè)時(shí)隙中的Midamble碼長度為()bit,它們是由長度為128bit的基本midamble碼經(jīng)過循環(huán)移位得到。
TD-SCDMANodeB的最簡配置中,下面哪些單板是不需要的()。
UMTS系統(tǒng)由CN、UTRAN和UE三部分構(gòu)成,其中UE和UTRAN的接口為:Uu接口,UTRAN內(nèi)NodeB和RNC的接口為Iub接口,RNC與CN的接口為Iu接口,RNC之間的接口為()接口。