A.改變外施電壓大??;
B.改變電路電阻R參數(shù);
C.改變電路電感L或電容C參數(shù);
D.改變回路電流大小。
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A.一次繞組及下鐵芯支架對二次繞組及地;
B.處于下鐵芯下芯柱的1/4一次繞組及下鐵芯支架對二次繞組及地;
C.處于下鐵芯下芯柱的的1/4一次繞組端部對二次繞組端部之間的及下鐵芯支架對殼之間;
D.上下鐵芯支架。
A.一次繞組對二次繞組及地;
B.處于鐵芯下芯柱的1/2一次繞組對二次繞組之間;
C.鐵芯支架;
D.處于鐵芯下芯柱的1/2一次繞組端部對二次繞組端部之間。
A.tgδ??;
B.絕緣電阻高;
C.泄漏電流??;
D.在試驗電壓下無局部放電。
A.測量主電容C1的tgδ和C;
B.測量分壓電容C2及中間變壓器的tgδ、C和MΩ;
C.電壓比試驗;
D.檢查引出線的極性。
A.空載損耗和空載電流試驗;
B.絕緣電阻和介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ測量;
C.局部放電測量;
D.引出線的極性檢查試驗。
最新試題
絕緣介質(zhì)中還有極少數(shù)帶電質(zhì)點在電場的作用下發(fā)生定向移動形成電流,這部分電流稱為()
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