單項(xiàng)選擇題用末端屏蔽法測量110kV串級(jí)式電壓互感器的tgδ時(shí),在試品底座法蘭接地、電橋正接線、Cx引線接試品x、xD端條件下,其測得值主要反映的是()的絕緣狀況。

A.一次繞組對(duì)二次繞組及地;
B.處于鐵芯下芯柱的1/2一次繞組對(duì)二次繞組之間;
C.鐵芯支架;
D.處于鐵芯下芯柱的1/2一次繞組端部對(duì)二次繞組端部之間。


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1.單項(xiàng)選擇題測量局部放電時(shí),要求耦合電容()。

A.tgδ??;
B.絕緣電阻高;
C.泄漏電流小;
D.在試驗(yàn)電壓下無局部放電。

2.單項(xiàng)選擇題電容式電壓互感器電氣試驗(yàn)項(xiàng)目()的測試結(jié)果與其運(yùn)行中發(fā)生二次側(cè)電壓突變?yōu)榱愕漠惓,F(xiàn)象無關(guān)。

A.測量主電容C1的tgδ和C;
B.測量分壓電容C2及中間變壓器的tgδ、C和MΩ;
C.電壓比試驗(yàn);
D.檢查引出線的極性。

3.單項(xiàng)選擇題110~220kV電磁式電壓互感器,電氣試驗(yàn)項(xiàng)目()的測試結(jié)果與其油中溶解氣體色譜分析總烴和乙炔超標(biāo)無關(guān)。

A.空載損耗和空載電流試驗(yàn);
B.絕緣電阻和介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ測量;
C.局部放電測量;
D.引出線的極性檢查試驗(yàn)。

5.單項(xiàng)選擇題測量介質(zhì)損耗因數(shù),通常不能發(fā)現(xiàn)的設(shè)備絕緣缺陷是()。

A.整體受潮;
B.整體劣化;
C.小體積試品的局部缺陷;
D.大體積試品的局部缺陷。