為了減少側(cè)壁的影響，必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量，以便提高定量精度。

橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí)，不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷，其回波高相差不大。

對(duì)于圓柱體而言，外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí)，入射點(diǎn)處的回波聲壓實(shí)際上由于圓柱面耦合不及平面，因而其回波高于平底面，會(huì)使定量誤差增加。

缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。

儀器時(shí)基線比例一般在試塊上調(diào)節(jié)，當(dāng)工件與試塊的聲速不同時(shí)，儀器的時(shí)基線比例發(fā)生變化，影響缺陷定位精度。

動(dòng)態(tài)范圍的最小信號(hào)可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。

高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼，電纜為無(wú)機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。

水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸，且探頭部分或全部門浸入耦合液中。

檢測(cè)曲面工件時(shí)，探頭與工件接觸有兩種情況，一是平面與曲面接觸，另一種是將探頭斜楔磨成曲面，探頭與工件曲面接觸。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。