缺陷相對反射率即缺陷反射聲壓與基準反射體聲壓之比。

對于橫波斜探頭而言，不同K值的探頭的靈敏度不同，因此探頭K值偏差也會影響缺陷的定量。

高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼，電纜為無機物絕緣體高溫同軸電纜。

為了減少側(cè)壁的影響，必要時可采用試塊比較法進行定量，以便提高定量精度。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

水浸聚焦探頭是由外殼、阻尼塊、晶片、聲透鏡等組成。

經(jīng)變形橫波轉(zhuǎn)換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波，滯后時間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。

水浸式探頭主要特點是探頭與工件直接接觸，且探頭部分或全部門浸入耦合液中。

對于圓柱體而言，外圓徑向檢測實心圓柱體時，入射點處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。

衍射時差法對缺陷的定量依賴于缺陷的回波幅度。