A.曝光曲線
B.衰減曲線
C.吸收曲線
D.飽和曲線
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A.橫座標(biāo)表示工件的透照厚度
B.縱座標(biāo)(對(duì)數(shù)座標(biāo))表示曝光量(毫安與時(shí)間的乘積)
C.用一組斜線表示相應(yīng)的管電壓值時(shí)的透照厚度和曝光量之間的關(guān)系
D.以上都對(duì)
A.X射線機(jī)、照相的焦距、底片黑度、所使用的膠片和增感屏、射線能量
B.X射線機(jī)、照相的焦距、底片黑度、所使用的膠片和增感屏、曝光量
C.X射線機(jī)、照相的焦距、底片黑度、所使用的膠片和增感屏、透照厚度
D.X射線機(jī)、照相的焦距、底片黑度、所使用的膠片和增感屏、暗室處理的工藝條件
A.膠片類型
B.射線能量
C.曝光量
D.透照厚度
A.應(yīng)增大管電流
B.應(yīng)減小管電流
C.試樣應(yīng)遠(yuǎn)離膠片
D.降低加于射線管的電壓:
A.在實(shí)際的射線照相檢驗(yàn)中,確定焦距最小值常采用諾模圖
B.幾何不清晰度的要求限定了焦距的最小值
C.在采用雙壁單影法透照環(huán)縫時(shí),往往選擇較大的焦距
D.實(shí)際透照時(shí)一般并不采用最小焦距值,所用的焦距比最小焦距要大得多
最新試題
在射線檢測(cè)中,下列哪一種裂紋最難檢測(cè)()
同位素的含義是()
合格的底片應(yīng)至少滿足以下哪些質(zhì)量要求()
為了提高橫向缺陷檢出率,射線照相應(yīng)該采取下列中的哪個(gè)措施()
以下關(guān)于聲發(fā)射檢測(cè)的特點(diǎn),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()
在同樣的X射線管電流下,管電壓增加,則()
X射線的強(qiáng)度與下面哪個(gè)參數(shù)有關(guān)()
下列哪一項(xiàng)對(duì)射線照相有效透照范圍的影響最大()
射線底片灰霧度過(guò)大會(huì)損害影像的()
下列有關(guān)評(píng)片的敘述哪一條是錯(cuò)誤的()