A、根據(jù)頻率和壓電晶片的厚度進(jìn)行計(jì)算
B、用人工缺陷的反射信號(hào)幅度確定
C、與同種探頭進(jìn)行比較
D、確定探頭的振蕩時(shí)間
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A、用帶有經(jīng)校準(zhǔn)的衰減器和C掃描記錄儀的探傷儀對(duì)精加工鍛件進(jìn)行液浸自動(dòng)探傷
B、鍛造前對(duì)鍛坯進(jìn)行檢驗(yàn)，精加工后對(duì)形狀許可的部位再進(jìn)行檢驗(yàn)
C、對(duì)成品件進(jìn)行手工接觸法檢驗(yàn)
D、鍛造前對(duì)鍛坯進(jìn)行自動(dòng)液浸檢驗(yàn)
A、與主軸線平行
B、與副軸線平行
C、與鍛件流線一致
D、與鍛件流線約成45°角
A、用直徑較小的探頭進(jìn)行檢驗(yàn)
B、在細(xì)化晶粒熱處理后進(jìn)行檢驗(yàn)
C、將接觸法檢驗(yàn)改為液浸法檢驗(yàn)
D、將縱波檢驗(yàn)改為橫波檢驗(yàn)
A、頻率較低的探頭和粘度較高的耦合劑
B、頻率較高的探頭和粘度較低的耦合劑
C、頻率較高的探頭和粘度較高的耦合劑
D、頻率較低的探頭和粘度較低的耦合劑
A、縱波
B、橫波
C、縱波與橫波
D、表面波
最新試題
X射線檢測(cè)圖像直觀、缺陷定性準(zhǔn)確，因此焊接缺陷無(wú)論大小和延伸方向都可以選擇X射線檢測(cè)。
缺陷分類(lèi)應(yīng)符合驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)的要求，標(biāo)準(zhǔn)未作規(guī)定的缺陷或不屬于X射線照相檢驗(yàn)范疇的缺陷，必要時(shí)可予以注明供有關(guān)人員參考，但不作為合格與否判定的依據(jù)。
觀察底片時(shí)，為能識(shí)別缺陷圖像，缺陷圖像對(duì)比度與圖像噪聲之比應(yīng)不小于識(shí)別閾值。
像質(zhì)計(jì)放置次數(shù)一般應(yīng)與透照次數(shù)相同，相同部位、相同的透照條件連續(xù)透照時(shí)可適當(dāng)減少放置次數(shù)．但不少于透照次數(shù)的三分之一。
超差缺陷是否排除，由缺陷挖排人員挖排后直接提出申請(qǐng)、檢驗(yàn)蓋章認(rèn)可后送X光檢測(cè)。
X射線探傷室應(yīng)建立健全輻射安全管理制度及應(yīng)急預(yù)案。
廢舊藥液應(yīng)采用專(zhuān)用容器收集，定期送指定的機(jī)構(gòu)處理。
射線檢測(cè)最有害的危險(xiǎn)源是（），必須嚴(yán)加控制。
焊接工藝處理超標(biāo)缺陷必須閱片的主要目的是（）。
產(chǎn)品焊接接頭最終質(zhì)量經(jīng)X射線檢驗(yàn)合格后不得再實(shí)施影響接頭性能的加工（如校形、修刮、重熔等），否則應(yīng)重新申請(qǐng)進(jìn)行X射線檢測(cè)。