A.通電線圈
B.磁軛
C.交流
D.直流
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A.通電線圈
B.觸頭
C.交流
D.直流
E.磁軛
A.潤(rùn)濕角θ小于90°
B.潤(rùn)濕角θ大于90°
C.潤(rùn)濕角θ=90°
D.與潤(rùn)滑角是無關(guān)的
A.缺陷深度
B.缺陷至探頭前沿距離
C.缺陷聲程
D.以上都可以
A.液體密度
B.液體粘度
C.液體表面張力
D.液體品質(zhì)
A.探傷部位的厚度
B.磁極位置,間距
C.外磁場(chǎng)干擾
D.磁化規(guī)范
最新試題
液浸法探傷是使探頭發(fā)射的超聲波經(jīng)過一段液體后再進(jìn)入試件的檢測(cè)的方法。
對(duì)于圓柱體而言,外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí),入射點(diǎn)處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。
衍射時(shí)差法探傷,當(dāng)有缺陷存在時(shí),在直通波和底面反射波之間,接收探頭會(huì)接收到缺陷處產(chǎn)生的衍射波。
在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí),應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù),計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。
為了減少側(cè)壁的影響,必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量,以便提高定量精度。
無論聲波相對(duì)于缺陷是垂直入射還是斜入射,缺陷大小不同其反射波的指向性有相當(dāng)大的差異。
對(duì)于比正常縱波底面回波滯后的變形波稱為遲到回波。
爬波在自由表面的位移有垂直分量,但不是純粹的表面波。
對(duì)于橫波斜探頭而言,不同K值的探頭的靈敏度不同,因此探頭K值偏差也會(huì)影響缺陷的定量。
根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知,在反射體直徑相同的情況下,圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。