半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2018.09.30)

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1.問(wèn)答題采用無(wú)定形掩膜的情況下進(jìn)行注入，若掩蔽膜/襯底界面的雜質(zhì)濃度減少至峰值濃度的1/10000，掩蔽膜的厚度應(yīng)為多少？用注入雜質(zhì)分布的射程和標(biāo)準(zhǔn)偏差寫(xiě)出表達(dá)式。

參考答案：無(wú)定形靶內(nèi)的縱向濃度分布可用高斯函數(shù)表示：
其中，Rp為投影射程，ΔRp為投影射程的標(biāo)準(zhǔn)偏差，&p...

2.問(wèn)答題 采用CF₄作為氣體源對(duì)SiO₂進(jìn)行刻蝕，在進(jìn)氣中分別加入O₂或H₂對(duì)刻蝕速率有什么影響？隨著O₂或H₂進(jìn)氣量的增加，對(duì)Si和SiO₂刻蝕選擇性怎樣變化？為什么？

參考答案：加入少量的氧氣能夠提高Si和SiO₂的刻蝕速率。加入少量的氫氣可以導(dǎo)致Si和SiO₂

3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述BOE（或BHF）刻蝕SiO₂的原理。

參考答案：二氧化硅腐蝕最常見(jiàn)的濕法腐蝕工藝之一是在稀釋的HF溶劑中進(jìn)行的SiO₂濕法腐蝕法。常用腐蝕液配比是...

4.問(wèn)答題雜質(zhì)原子的擴(kuò)散方式有哪幾種？它們各自發(fā)生的條件是什么？從原子擴(kuò)散的角度舉例說(shuō)明氧化增強(qiáng)擴(kuò)散和氧化阻滯擴(kuò)散的機(jī)理。

參考答案：①交換式：兩相鄰原子由于有足夠高的能量，互相交換位置。②空位式：由于有晶格空位，相鄰原子能移動(dòng)過(guò)來(lái)。③填隙式：在空隙中的...

5.問(wèn)答題集成電路制造中有哪幾種常見(jiàn)的擴(kuò)散工藝？各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？

參考答案：擴(kuò)散工藝分類(lèi)：按原始雜質(zhì)源在室溫下的相態(tài)分類(lèi)，可分為固態(tài)源擴(kuò)散，液態(tài)源擴(kuò)散和氣態(tài)源擴(kuò)散。固態(tài)源擴(kuò)散（1）.開(kāi)管擴(kuò)散...

6.問(wèn)答題簡(jiǎn)述常規(guī)熱氧化辦法制備SiO₂介質(zhì)薄膜的動(dòng)力學(xué)過(guò)程，并說(shuō)明在什么情況下氧化過(guò)程由反應(yīng)控制或擴(kuò)散控制。

參考答案：迪爾-格羅夫氧化模型可以很好地預(yù)測(cè)氧化層厚度，熱氧化過(guò)程主要分為以下三個(gè)過(guò)程：（1）氧化劑從氣體內(nèi)部以擴(kuò)散形式穿過(guò)滯留層...

7.問(wèn)答題簡(jiǎn)述APCVD、LPCVD、PECVD的特點(diǎn)。

參考答案：APCVD——一些最早的CVD工藝是在大氣壓下進(jìn)行的，由于反應(yīng)速率快，CVD系統(tǒng)簡(jiǎn)單，適于較厚的...

8.問(wèn)答題CVD淀積過(guò)程中兩個(gè)主要的限制步驟是什么？它們分別在什么情況下會(huì)支配整個(gè)淀積速率？

參考答案：CVD過(guò)程包括兩個(gè)部分：一、反應(yīng)劑在邊界層中的輸運(yùn)二、反應(yīng)劑在襯底表面的化學(xué)反應(yīng)存在兩種極限情況：①hg>>ks，Cs趨...

9.問(wèn)答題影響外延薄膜的生長(zhǎng)速度的因素有哪些？

參考答案：1）溫度高溫區(qū)B區(qū)，生長(zhǎng)速率對(duì)溫度的變化不敏感，生長(zhǎng)速率由氣相質(zhì)量輸運(yùn)控制，并且對(duì)反應(yīng)室的幾何形狀和氣流有很大的依賴(lài)性。...

10.問(wèn)答題射頻放電與直流放電相比有何優(yōu)點(diǎn)？

參考答案：直流放電中，電荷在表面的積聚會(huì)使電場(chǎng)減小，直到等離子體消失。在射頻電場(chǎng)中，因?yàn)殡妶?chǎng)周期性地改變方向，帶電粒子不容易到達(dá)電...