單項選擇題關(guān)于半導(dǎo)體作為探測器介質(zhì)的物理性能,下列說法錯誤的是()。
A.平均電離能比閃爍體探測器低
B.載流子數(shù)目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會大大降低半導(dǎo)體的電阻率
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1.單項選擇題下列哪兩種性質(zhì)是組成半導(dǎo)體探測器的關(guān)鍵?()
A.高的電阻率,短的載流子壽命
B.高的電阻率,長的載流子壽命
C.低的電阻率,長的載流子壽命
D.低的電阻率,短的載流子壽命
2.單項選擇題摻雜下列哪種元素的雜質(zhì)半導(dǎo)體是屬于間隙型的?()
A.Li
B.B
C.P
D.Al
3.單項選擇題與氣體探測器相比,下列哪一項不是半導(dǎo)體探測器的優(yōu)點?()
A.能量分辨率好
B.對γ射線的探測效率高
C.結(jié)構(gòu)緊湊
D.不易受射線損傷
4.單項選擇題下列哪項不是閃爍探測器必備的構(gòu)成部分?()
A.光電倍增器件
B.組分恒定的氣體環(huán)境
C.閃爍體
D.前置放大器
5.單項選擇題閃爍探測器的特點不包括下面哪項?()
A.探測效率高
B.時間特性好
C.用途廣泛,閃爍體選擇多
D.適合于測量帶電粒子,不適合測量不帶電粒子
最新試題
下列關(guān)于反應(yīng)堆中子源的描述錯誤的是()。
題型:單項選擇題
下列關(guān)于同位素源的特點的描述不正確的是()。
題型:單項選擇題
測量能量10keV的γ射線,觀察到了在20keV處有一個明顯的峰,對于這些計數(shù)的分析正確的是()。
題型:單項選擇題
幾何因素對探測器測量活度的影響描述正確的是()。
題型:單項選擇題
下列對中子與原子核的反應(yīng)截面的描述不正確的是()。
題型:單項選擇題
吸收和散射對探測器活度測量也有影響,下列說法錯誤的是()。
題型:單項選擇題
測量β射線的活度,下列說法錯誤的是()。
題型:單項選擇題
下列關(guān)于符合曲線描述錯誤的是()。
題型:單項選擇題
關(guān)于自發(fā)裂變中子源的描述正確的是()。
題型:單項選擇題
下列哪項不屬于中子探測方法?()
題型:單項選擇題