在檢測晶粒粗大和大型工件時，應(yīng)測定材料的衰減系數(shù)，計算時應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。

對于橫波斜探頭而言，不同K值的探頭的靈敏度不同，因此探頭K值偏差也會影響缺陷的定量。

根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計算公式與圓柱形平面反射體的表達式進行比較可知，在反射體直徑相同的情況下，圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。

當(dāng)探頭的性能不佳時出現(xiàn)兩個主聲束，發(fā)現(xiàn)缺陷時很難判斷是哪個主聲束發(fā)現(xiàn)的，因此也就難以確定缺陷的實際位置。

由于圓柱形工件有一定的曲率，直探頭與工件直接接觸時，接觸面為一條很寬的條形區(qū)域，從在而在圓柱的橫截面內(nèi)會產(chǎn)生強烈的聲束擴散。

當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時，而又沒有進行適當(dāng)?shù)难a償，會使定量誤差增加，精度下降。

水浸式探頭主要特點是探頭與工件直接接觸，且探頭部分或全部門浸入耦合液中。

無論聲波相對于缺陷是垂直入射還是斜入射，缺陷大小不同其反射波的指向性有相當(dāng)大的差異。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

對于比正常縱波底面回波滯后的變形波稱為遲到回波。