A.探測(cè)器各個(gè)單元的尺寸、本底噪聲可能不同
B.探測(cè)器各個(gè)單元的本底噪聲、增益性能可能不同
C.探測(cè)器各個(gè)單元的增益性能、尺寸可能不同
D.探測(cè)器各個(gè)單元的尺寸、壞像素情況可能不同
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.只能通過(guò)掃描方式完成檢測(cè)圖像采集
B.這種系統(tǒng)必須有機(jī)械裝置
C.機(jī)械裝置的運(yùn)動(dòng)構(gòu)成了各方向的采樣間隔
D.只能以動(dòng)態(tài)檢測(cè)方式獲取檢測(cè)圖像。
A.非晶硅面陣探測(cè)器
B.氣體面陣探測(cè)器
C.CMOS面陣探測(cè)器
D.非晶硒面陣探測(cè)器
A.射線源的能量與焦點(diǎn)尺寸
B.探測(cè)器系統(tǒng)尺寸與重量
C.圖像顯示與存儲(chǔ)處理單元的硬件特性
D.圖像顯示與存儲(chǔ)處理單元的軟件特性
A.射線源
B.探測(cè)器系統(tǒng)
C.機(jī)械驅(qū)動(dòng)裝置系統(tǒng)
D.圖像顯示與存儲(chǔ)處理單元
最新試題
對(duì)于螺栓的檢測(cè),不適用的無(wú)損檢測(cè)方法是()
在射線照相檢測(cè)中,當(dāng)提高射線能量時(shí)可能發(fā)生的是()
在射線檢測(cè)中,下列哪一種裂紋最難檢測(cè)()
同位素的含義是()
以下關(guān)于聲發(fā)射檢測(cè)的特點(diǎn),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()
合格的底片應(yīng)至少滿足以下哪些質(zhì)量要求()
X射線的強(qiáng)度與下面哪個(gè)參數(shù)有關(guān)()
在試件外緣由射線散射引起射線照相圖像質(zhì)量變差的現(xiàn)象叫()
下列有關(guān)評(píng)片的敘述哪一條是錯(cuò)誤的()
下列關(guān)于X射線機(jī)的使用的描述不正確的是()