慢性埋藏電極刺激動(dòng)物腦的某些部位會(huì)引發(fā)動(dòng)物的自我刺激行為，其中以內(nèi)側(cè)前腦束后部的陽性自我刺激反應(yīng)率最高，這是因?yàn)椋ǎ┩泛停ǎ┩吩诖藭?huì)合。

（）居于大腦和中腦之間，被大腦半球所遮蓋。

簡(jiǎn)述自閉癥譜系障礙（ASD）的核心癥狀、重型和輕型表現(xiàn)。

在下列視網(wǎng)膜細(xì)胞中，根據(jù)光的相對(duì)強(qiáng)度產(chǎn)生級(jí)量反應(yīng)的是（）

簡(jiǎn)述人類具有的不同學(xué)習(xí)模式。

論述海馬的兩個(gè)記憶回路及其證據(jù)。

簡(jiǎn)述兒童注意缺陷多動(dòng)障礙（ADHD）的研究進(jìn)展。

（）的光感受機(jī)制包括光生物化學(xué)和光生物物理學(xué)兩類反應(yīng)。兩者均發(fā)生在兩類光感受細(xì)胞，即視錐細(xì)胞和視桿細(xì)胞之中。

注意的丘腦網(wǎng)狀核閘門學(xué)說認(rèn)為，丘腦網(wǎng)狀核只接受從（）來的下行纖維，當(dāng)大量高位反饋的下行沖動(dòng)引起它的興奮，就會(huì)對(duì)（）產(chǎn)生抑制功能，使大量干擾項(xiàng)的刺激信息很難傳入腦高級(jí)中樞。

記憶痕跡理論認(rèn)為電抽搐會(huì)干擾短時(shí)記憶的原因是（）