A、RL15TD中，通過(guò)上行鏈路自適應(yīng)輸出MCS和ATB
B、RL15TD中，通過(guò)下行鏈路自適應(yīng)輸出MCS和TBS
C、RL15TD中，PUSCH支持開(kāi)環(huán)功控，但不支持閉環(huán)功控
D、RL15TD中，PUSCH支持的最高階MCS是24階
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你可能感興趣的試題
A、DRS只在配置BF的用戶帶寬上發(fā)送
B、對(duì)于下行單用戶峰值吞吐率，TM7要比TM3高
C、對(duì)于PSS/SSS映射的時(shí)頻資源位置，TD-LTE和FDD LTE是一樣的
D、和UMTS類似，LTE中PRACH也不需要規(guī)劃
A、CQI
B、PMI
C、RI
D、上行HARQ信息
A、發(fā)射分集
B、開(kāi)環(huán)空間復(fù)用
C、閉環(huán)空間復(fù)用
D、波束賦形
A、RS- RSRP
B、RI
C、RS-SINR
D、CQI
A、在TM3模式下，為保證系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能增大eNB兩個(gè)發(fā)射天線點(diǎn)間距
B、在TM3模式下，為保證系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能減小eNB兩個(gè)發(fā)射天線點(diǎn)間距
C、為避免TD-LTE與Wlan相互干擾，建議使用大隔離度合路器通過(guò)合路方式布放
D、為避免TD-LTE與Wlan相互干擾，建議使用新增天線點(diǎn)位單獨(dú)布放
最新試題
VolTE呼叫建立時(shí)延除了覆蓋、干擾等常見(jiàn)影響外，網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開(kāi)關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對(duì)呼叫建立時(shí)延有較大影響。
SecondaryCell（SCC）∶輔小區(qū)，是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立，輔小區(qū)就被配置以提供額外的無(wú)線資源。
UE在TAlist范圍內(nèi)移動(dòng)時(shí)，不允許發(fā)起TAU流程。
3GPP標(biāo)準(zhǔn)傳播模型存在局限性，導(dǎo)致在實(shí)測(cè)中出現(xiàn)偏差，因此需要針對(duì)真實(shí)場(chǎng)景做CW測(cè)試。
AMR寬帶語(yǔ)音幀通過(guò)RTP協(xié)議傳輸；而會(huì)話協(xié)商信息，通過(guò)SIP協(xié)議傳輸。
t304定時(shí)器設(shè)置過(guò)大，會(huì)導(dǎo)致（）。
VoLTE語(yǔ)音質(zhì)量端到端間接影響因素包括（）。
載波智能關(guān)斷針對(duì)地鐵等有固定時(shí)間段沒(méi)有用戶的場(chǎng)景，通知RF模塊進(jìn)入休眠。
直放站增益設(shè)置時(shí)，為了抵消底噪，上行增益要大于下行增益。
LTE系統(tǒng)是以CDMA和MIMO為主要技術(shù)基礎(chǔ)。