A、1.25 MHz
B、5 MHz
C、20 MHz
D、1.6 MHz
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你可能感興趣的試題
A、SAE承載信令過程，包括SAE承載建立和釋放過程
B、切換信令過程,尋呼過程
C、NAS信令傳輸功能
D、NAS傳輸過程，包括上行方向的初始UE和下行鏈路的直傳
A、SAE承載業(yè)務(wù)管理功能，例如建立和釋放
B、UE在LTE_ACTIVE狀態(tài)下的移動(dòng)性功能，例如Intra-LTE切換和Inter-3GPP-RAT切換
C、網(wǎng)絡(luò)共享功能，漫游和區(qū)域限制支持功能，NAS節(jié)點(diǎn)選擇功能，初始上下文建立功能
D、S1尋呼功能,S1接口管理功能，例如錯(cuò)誤指示等
A、鑒權(quán)認(rèn)證
B、系統(tǒng)信息廣播
C、尋呼
D、建立釋放維護(hù)RRC連接
A、高,小
B、高，大
C、低，大
D、低，小
A、頻譜效率高
B、寬帶擴(kuò)展性強(qiáng)
C、抗多徑衰落
D、頻域調(diào)度及自適應(yīng)
最新試題
VoLTE線覆蓋（高鐵、高速、地鐵）DT覆蓋率要求是≥95%，其中覆蓋率標(biāo)準(zhǔn)是RSRP≥-110dBm&SINR≥-3B。
直放站增益設(shè)置時(shí)，為了抵消底噪，上行增益要大于下行增益。
VOLTE中用戶在IMS注冊(cè)成功后，需要周期性在IMS重注冊(cè)。
VolTE呼叫建立時(shí)延除了覆蓋、干擾等常見影響外，網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對(duì)呼叫建立時(shí)延有較大影響。
SecondaryCell（SCC）∶輔小區(qū)，是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立，輔小區(qū)就被配置以提供額外的無線資源。
某LTE小區(qū)向3G重定向比例很高，一定表明該小區(qū)覆蓋范圍內(nèi)存在明顯的覆蓋不足。
I—CSCF用于在用戶接入IMS網(wǎng)絡(luò)，功能接近于一個(gè)Proxy與（UA）UserAgent。
頻譜分析儀的最低噪聲電平和最慢掃描時(shí)間是在最小分辨帶寬下得到的。
VoLTE語音質(zhì)量端到端間接影響因素包括（）。
站點(diǎn)勘察時(shí)需要收集的信息句括（）。