A.5MeVN≤E<10MeV;1.0cm
B.MeVN≤E<10MeV;1.5cm
C.10MeVN≤E<20MeV;2.0cm
D.20MeVN≤E<50MeV;3.0cm
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A.量熱法
B.電離室法
C.膠片法
D.半導(dǎo)體探測(cè)器
E.熱釋光劑量法
A.1Bq=2.709×10-11Ci
B.1Bq=1.709×10-11Ci
C.1Bq=2.709×10-10Ci
D.1Bq=1.709×10-12Ci
E.1Bq=2.709×10-12Ci
A.測(cè)定的半價(jià)層必須是直接用于治療的射線
B.不加吸收片測(cè)量強(qiáng)度時(shí)和加吸收片測(cè)量半價(jià)時(shí)的條件應(yīng)保持相同
C.吸收板的位置要靠經(jīng)電離室
D.電離室周圍不應(yīng)有產(chǎn)生散射的物質(zhì)
E.射野面積應(yīng)盡量減小,以能包括電離室的靈敏體積為限
A.貫穿物質(zhì)的能力
B.射線的強(qiáng)度
C.射線的硬度
D.能量
E.半價(jià)層
A.5cm
B.6cm
C.8cm
D.9cm
E.10cm
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