電路如下圖所示,R1、R2支路引入的反饋為()。
A.串聯(lián)電壓負(fù)反饋
B.正反饋
C.并聯(lián)電壓負(fù)反饋
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A.同相輸入信號(hào)電壓高于反相輸入信號(hào)
B.同相輸入信號(hào)電壓高于反相輸入信號(hào),并引入負(fù)反饋
C.反相輸入信號(hào)電壓高于同相輸入信號(hào),并引入負(fù)反饋
D.反相輸入信號(hào)電壓高于同相輸入信號(hào),并開(kāi)環(huán)
A.閉環(huán)放大倍數(shù)越大
B.開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)越大
C.抑制漂移的能力越強(qiáng)
D.對(duì)放大倍數(shù)沒(méi)有影響
A.放大差模信號(hào),抑制共模信號(hào)
B.放大共模信號(hào),抑制差模信號(hào)
C.放大差模信號(hào)和共模信號(hào)
D.差模信號(hào)和共模信號(hào)都不放大
A.輸入電阻
B.信號(hào)源內(nèi)阻
C.負(fù)載電阻
A.輸入電阻高,輸出電阻低
B.輸入電阻低,輸出電阻高
C.輸入,輸出電阻都很高
D.輸入,輸出電阻都很低
如圖所示的放大電路()。
A.不能穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)
B.能穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn),但比無(wú)二極管D的電路效果要差
C.能穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)且效果比無(wú)二極管D的電路更好
已知某場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性曲線(xiàn)如圖所示,則在UDS=10V,UGS=0V處的跨導(dǎo)gm約為()。
A.1mA/V
B.0.5mA/V
C.-1mA/V
D.-0.5mA/V
某場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性曲線(xiàn)如圖所示,則該場(chǎng)效應(yīng)管為()。
A.P溝道耗盡型MOS管
B.N溝道增強(qiáng)型MOS管
C.P溝道增強(qiáng)型MOS管
D.N溝道耗盡型MOS管
某電路如下圖所示,晶體管集電極接有電阻RC,根據(jù)圖中的數(shù)據(jù)判斷該管處在()。
A.截止?fàn)顟B(tài)
B.放大狀態(tài)
C.飽和狀態(tài)
A.PNP管的集電極
B.PNP管的發(fā)射極
C.NPN管的發(fā)射極
D.NPN管的基極
最新試題
某場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性曲線(xiàn)如圖所示,則該場(chǎng)效應(yīng)管為()。
無(wú)輸出變壓器(OTL)互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大電路,輸出耦合電容CL的主要作用是()。
零點(diǎn)漂移就是靜態(tài)工作點(diǎn)的漂移。
差分放大電路的作用是()。
已知某場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性曲線(xiàn)如圖所示,則在UDS=10V,UGS=0V處的跨導(dǎo)gm約為()。
鏡像電流源電路中兩只晶體管的特性應(yīng)完全相同。
若集成運(yùn)放的最大輸出電壓幅度為UOM,則在()情況下,集成運(yùn)放的輸出電壓為-UOM。
負(fù)反饋越深,電路的性能越穩(wěn)定。
比例運(yùn)算電路如下圖所示,該電路的輸入電阻為()。
兩級(jí)阻容耦合放大電路中,第一級(jí)的輸出電阻是第二級(jí)的()。