填空題P-MOSFET是多數(shù)載流子工作的器件,其元件的通態(tài)電阻具有正的(),有較寬的安全工作區(qū)。
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3.單項(xiàng)選擇題下列選項(xiàng)不屬于晶閘管過(guò)電壓保護(hù)措施的是()。
A.交流側(cè)保護(hù)
B.直流側(cè)保護(hù)
C.整流主電路元件保護(hù)
D.緩沖電路保護(hù)
4.單項(xiàng)選擇題有關(guān)直流輸電的特點(diǎn)不正確的描述是()。
A.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單
B.造價(jià)低
C.損耗小
D.容量小
5.單項(xiàng)選擇題下列選項(xiàng)是門(mén)極可關(guān)斷晶閘管的標(biāo)識(shí)的是()。
A.FST
B.TRIAC
C.RCT
D.GTO
最新試題
對(duì)于電壓等級(jí)較低的配電線路導(dǎo)線截面積選擇,不需要校驗(yàn)的條件是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)描述一個(gè)物理量的標(biāo)幺值時(shí),必須同時(shí)說(shuō)明其()為多大,否則僅一個(gè)標(biāo)幺值是沒(méi)有意義的。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
三繞組變壓器,無(wú)論是升壓變壓器還是降壓變壓器,都把()繞組排在最外面。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
我國(guó)中性點(diǎn)直接接地系統(tǒng)適用范圍為()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
環(huán)形網(wǎng)絡(luò)內(nèi)附加電動(dòng)勢(shì)會(huì)產(chǎn)生(),附加電動(dòng)勢(shì)產(chǎn)生的原因有兩種:一是環(huán)網(wǎng)內(nèi)變壓器不匹配,二是人為控制的結(jié)果。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
中樞點(diǎn)的三種調(diào)壓方式中,實(shí)現(xiàn)難度最大的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
恒調(diào)壓是只需把中樞點(diǎn)電壓保持在()的水平即可。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
不做任何控制的環(huán)形網(wǎng)絡(luò)的功率分布稱為()分布。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
()主要顯示系統(tǒng)中各元件之間的電氣聯(lián)系,但不能反映發(fā)電廠變電站的相對(duì)地理位置。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
簡(jiǎn)述負(fù)荷模型的概念。
題型:?jiǎn)柎痤}