下列電力半導(dǎo)體器件電路符號(hào)中表示IGBT器件的電路符號(hào)是()
A.A
B.B
C.C
D.D
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A. GTR
B. MOSFET
C. IGBT
D. GTO
A.GTR
B.MOSFET
C.IGBT
D.GTO
A.IGBT
B.GTR
C.MOSFET
D.GTO
最新試題
從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的,而且每來(lái)一個(gè)脈沖它就加一,很顯然它是一個(gè)()加法計(jì)數(shù)器。
將任意一個(gè)無(wú)效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里,它總能進(jìn)入到這個(gè)循環(huán)狀態(tài),那么也就是說(shuō)明,這個(gè)電路具有自起功能。
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中,硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載()
電壓比較器的功能是,將一個(gè)模擬量輸入電壓,與一個(gè)參考電壓VR進(jìn)行比較,并將比較的結(jié)果輸出,它廣泛應(yīng)用于()等方面。
交流放大電路接入負(fù)載電阻后,對(duì)靜態(tài)工作狀態(tài)無(wú)影響。
9個(gè)JK觸發(fā)器,通過(guò)電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。
二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:5位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。
集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測(cè)量和自動(dòng)控制等方面
全加器的輸入信號(hào)是()
異步計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器,而其它各位觸發(fā)器都是,依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖,采用逐級(jí)傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。