40.5kV及以上非純瓷套管和多油斷路器的tanδ應在分閘狀態(tài)下按每支套管進行測量。

電容器制造的主要材料為電容器紙、電容器油和金屬或瓷外殼。

超高頻局部放電試驗能夠發(fā)現(xiàn)設備內部發(fā)熱、放電及絕緣缺陷。

描述磁場的磁力線，是一組既不中斷又互不相交，卻各自閉合，既無起點又無終點的回線。

直流高壓試驗采用高壓硅堆作整流元件時，高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過硅堆的額定反峰電壓，其額定整流電流應大于工作電流，并有一定的裕度。

在現(xiàn)場相同條件下（好天氣），用介損儀測量小電容試品的tgδ和Cx時，用正接線方法和反接線方法測量結果是完全相同的。

電容式傳感器最常用的形式是由兩個平行電極組成、極間以空氣為介質的電容器。

若儀表刻度不均勻，則在分度線較密的部分，讀數(shù)誤差較大，靈敏度也較低。

GIS耐壓試驗之前，進行老化（凈化）試驗的目的是：使設備中可能存在的活動微粒雜質遷移到低電場區(qū)，并通過放電燒掉細小微粒或電極上的毛刺、附著的塵埃，以恢復GIS絕緣強度，避免不必要的破壞或返工。

絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內部有缺陷，則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。