A.電子碰撞電離
B.流注
C.小橋
D.湯遜
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A.240nm-280nm
B.0.75μm-1000μm
C.2μm-14μm
D.10nm-400nm
A.2.0倍
B.3.0倍
C.3.5倍
D.4.0倍
A.時高時低
B.相同
C.低
D.高
A.會減少但不會改變滅弧能力
B.不會減少也不會改變滅弧能力
C.不會減少但會改變滅弧能力
D.會減少也會改變滅弧能力
A.0.1
B.0.2
C.0.3
D.10~30%
最新試題
40.5kV及以上非純瓷套管和多油斷路器的tanδ應在分閘狀態(tài)下按每支套管進行測量。
直流泄漏電流試驗能反映瓷質絕緣的裂紋、夾層絕緣內部受潮及局部斷裂、絕緣的沿面炭化等。
將兩臺試驗變壓器串級進行交流耐壓試驗時,若第一級試驗變壓器串級繞組極性接反,會造成最終輸出試驗電壓為零。
在現場采用介損儀測量設備的介損tgδ時,若存在電場干擾,則在任意測試電源極性的情況下,所測得tgδ值一定比真實的tgδ增大。
真空斷路器具有體積小、重量輕、維護工作量小等優(yōu)點,適用于超高壓系統(tǒng)。
交流耐壓試驗電壓波形應是正弦或接近正弦,兩個半波應完全一樣,且波頂因數即峰值與有效值之比應等于√2±0.07。
將并聯有晶閘管閥及其電抗器的電容器串接于輸電線路中,并配有旁路斷路器、隔離開關、串補平臺、支撐絕緣子、控制保護系統(tǒng)等附屬設備組成的裝置,簡稱可控串補。
描述磁場的磁力線,是一組既不中斷又互不相交,卻各自閉合,既無起點又無終點的回線。
GIS耐壓試驗之前,進行老化(凈化)試驗的目的是:使設備中可能存在的活動微粒雜質遷移到低電場區(qū),并通過放電燒掉細小微?;螂姌O上的毛刺、附著的塵埃,以恢復GIS絕緣強度,避免不必要的破壞或返工。
在現場相同條件下(好天氣),用介損儀測量小電容試品的tgδ和Cx時,用正接線方法和反接線方法測量結果是完全相同的。