40.5kV及以上非純瓷套管和多油斷路器的tanδ應(yīng)在分閘狀態(tài)下按每支套管進(jìn)行測量。

交流耐壓試驗(yàn)電壓波形應(yīng)是正弦或接近正弦，兩個(gè)半波應(yīng)完全一樣，且波頂因數(shù)即峰值與有效值之比應(yīng)等于√2±0.07。

重大缺陷消缺率和及時(shí)率的要求分別為90%和85%。

直流高壓試驗(yàn)采用高壓硅堆作整流元件時(shí)，高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過硅堆的額定反峰電壓，其額定整流電流應(yīng)大于工作電流，并有一定的裕度。

真空斷路器具有體積小、重量輕、維護(hù)工作量小等優(yōu)點(diǎn)，適用于超高壓系統(tǒng)。

若儀表刻度不均勻，則在分度線較密的部分，讀數(shù)誤差較大，靈敏度也較低。

線路用帶串聯(lián)間隙金屬氧化物避雷器，每年根據(jù)運(yùn)行年限和放電動(dòng)作次數(shù)等因素確定抽樣比例，將運(yùn)行時(shí)間比較長或動(dòng)作次數(shù)比較多的避雷器拆下進(jìn)行預(yù)防性試驗(yàn)。

在規(guī)定時(shí)間內(nèi)承載被保護(hù)部分的負(fù)載電流或(和)故障電流，以防止電容器過電壓或金屬氧化物限壓器過負(fù)荷的受控觸發(fā)間隙。

絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷，則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。

GIS耐壓試驗(yàn)之前，進(jìn)行老化（凈化）試驗(yàn)的目的是：使設(shè)備中可能存在的活動(dòng)微粒雜質(zhì)遷移到低電場區(qū)，并通過放電燒掉細(xì)小微粒或電極上的毛刺、附著的塵埃，以恢復(fù)GIS絕緣強(qiáng)度，避免不必要的破壞或返工。