A.MPLS封裝
B.以太網(wǎng)封裝
C.GEM封裝
D.ATM封裝
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A.CIR
B.BIR
C.EIR
D.PIR
A.非負(fù)載分擔(dān)場(chǎng)景下,每個(gè)LAG組只能配置兩個(gè)成員形成1+1保護(hù)
B.負(fù)載分擔(dān)場(chǎng)景下,每個(gè)LAG組配置的成員需大于2個(gè)
C.端口down、單板離線、單板上關(guān)鍵芯片故障可作為L(zhǎng)AG保護(hù)的倒換條件
A.MPLSTunnel入節(jié)點(diǎn)稱為Egress節(jié)點(diǎn)
B.MPLSTunnel獨(dú)立于業(yè)務(wù),為業(yè)務(wù)相關(guān)層的PW提供承載的通道
C.MPLSTunnel中間節(jié)點(diǎn)稱為Transit節(jié)點(diǎn)
D.MPLSTunnel能夠承載多種類型的業(yè)務(wù),包括IP報(bào)文、VLAN報(bào)文、ATM報(bào)文等
A.是將網(wǎng)絡(luò)遠(yuǎn)端出現(xiàn)故障的情況,顯示在網(wǎng)絡(luò)近端上的故障指示方法
B.信號(hào)故障和AIS等缺陷情況均能導(dǎo)致帶有RDI信息幀的發(fā)送
C.實(shí)現(xiàn)方式和CC相同,只需在CC幀F(xiàn)lags字段中擴(kuò)展一個(gè)RDI位標(biāo)識(shí)即可
A.鏈路聚合組
B.鏈路
C.鏈路和節(jié)點(diǎn)
D.節(jié)點(diǎn)
最新試題
局內(nèi)光纜成端制作方法有()。
對(duì)于填充型光纜接續(xù)時(shí)應(yīng)采用()去除填充物,禁止用()清潔。
人手孔內(nèi)光、電纜標(biāo)志齊全、清晰,標(biāo)志牌的材料要耐腐蝕,長(zhǎng)久,型號(hào)統(tǒng)一,統(tǒng)一規(guī)范為()。
屬于基站內(nèi)ODF架/箱的成端整治規(guī)范的內(nèi)容是()。
以下告警會(huì)引起AU-AIS的有()。
每8-10個(gè)維護(hù)點(diǎn)設(shè)立一個(gè)維護(hù)站,每個(gè)維護(hù)站按每()公里不少于1個(gè)包線員設(shè)置若干維護(hù)點(diǎn)。
防雷保護(hù)接地裝置的接地電阻,一般地區(qū),不宜超過歐姆數(shù)為()。
常用的G.652光纖,在1550nm傳輸窗口,典型的每公里衰減系數(shù)為多少()
通信工程建設(shè)項(xiàng)目概預(yù)算表一包括()。
移動(dòng)架空線路維護(hù)規(guī)范要求桿號(hào)應(yīng)為白底藍(lán)字,從上至下依次為()。