單項選擇題對于高純鍺探測器的描述，下列說法錯誤的是（）。

A.高純鍺探測器是由Ge單晶制成
B.雜質濃度約為105個原子/cm3
C.因為純度高，所以可以有很大的結區(qū)，即敏感體積
D.耗盡層內的電場強度不是一致的


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1.單項選擇題下列對鋰漂移探測器的工作條件和原理描述不正確的是（）。

A.鋰漂移探測器不可以用來測量入射粒子的能量
B.Ge（Li）探測器須保存在低溫下
C.Si（Li）探測器可在常溫下保存
D.鋰漂移探測器能量分辨率高于NaI探測器

2.單項選擇題關于鋰漂移探測器的工作原理，下列說法正確的是（）。

A.I區(qū)存在空間電荷
B.I區(qū)為耗盡層，但是電阻率低于106Ω
C.I區(qū)為主要的探測器敏感區(qū)域
D.因為空間電荷的存在，平面型結構I區(qū)內不是均勻電場

3.單項選擇題關于鋰的漂移特性及P-I-N結形成，下列說法錯誤的是（）。

A.Li為施主雜質
B.鋰離子是用于漂移成探測器的唯一可用離子
C.基體用N型半導體

4.單項選擇題PN結半導體探測器通常采用哪種前置放大器？（）

A.電流型前置放大器
B.電壓型前置放大器
C.電荷靈敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器

5.單項選擇題關于PN結半導體探測器，下列說法正確的是（）。

A.結區(qū)的電場為均勻電場
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無關
C.結區(qū)電容與外加電壓無關
D.外加電壓增大，耗盡層的寬度增加