A.≤、≤
B.≥、≥
C.≤、≥
D.≥、≤
E.=、=
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A.CF=TAR(h-d,F(xiàn)SZd)/TAR(d,F(xiàn)SZd)
B.CF=TAR(d-h,F(xiàn)SZd)/TAR(h,F(xiàn)SZd)
C.CF=TAR(d-h,F(xiàn)SZd)/TAR(d,F(xiàn)SZd)
D.CF=TAR(h-d,F(xiàn)SZd)/TAR(h,F(xiàn)SZd)
E.CF=TAR(d,F(xiàn)SZd)/TAR(d-h,F(xiàn)SZd)
A.18mm
B.20mm
C.35mm
D.50mm
E.65mm
A.TMR 隨源皮距增大而減小
B.TMR 隨源皮距增大而增大
C.TMR 隨源皮距增大先增大后減小
D.TMR 隨源皮距增大先減小后增大
E.TMR 不隨源皮距變化
A.5
B.8
C.10
D.20
E.30
A.Gy
B.rad
C.Mev
D.MV
E.Sv
A.4cm
B.5cm
C.6cm
D.7cm
E.8cm
A.碘-125
B.銥-192
C.鈷-60
D.锎-252
E.鍶-90
A.ρNA/MA
B.ρZNA/MA
C.NA/MA
D.ZNA/MA
E.ρZ/MA
A.氣壓和溫度
B.輸出劑量率
C.電壓和極性
D.電離室的漏電流
E.電離室的桿效應(yīng)
A.中淺層X射線
B.高能X射線
C.電子束
D.鈷-60射線
E.質(zhì)子束
最新試題
人體曲面校正的組織空氣比法或組織最大劑量比方法的修正因子CF的表達(dá)式是()。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
質(zhì)子束的優(yōu)勢在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對亞致死損傷的修復(fù)能力。
對鈷60機(jī)射野的對稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月一次。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
對重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是()。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。