單項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體中,相鄰的兩個(gè)原子的一對(duì)最外層電子(即價(jià)電子)不僅各自圍繞所屬的原子核運(yùn)動(dòng),而且出現(xiàn)在相鄰原子所屬的軌道上,成為(),構(gòu)成共價(jià)鍵。

A.公用原子
B.共用電子
C.單一介子
D.介電子


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2.單項(xiàng)選擇題晶體中的原子在空間形成排列整齊的點(diǎn)陣,稱為()

A.陣列
B.晶格
C.空間晶體
D.原子格

4.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體的五大特性是摻雜性、熱敏性、光敏性、()特性、整流特性。

A.正電阻率溫度
B.正電阻率機(jī)械
C.負(fù)電阻率機(jī)械
D.負(fù)電阻率溫度

5.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體按照其所處理的信號(hào)可以分成模擬、數(shù)字、()及功能半導(dǎo)體。

A.電子數(shù)字混成
B.模擬電子混成
C.模擬數(shù)字混成
D.半導(dǎo)體混成

6.單項(xiàng)選擇題化合物半導(dǎo)體包括()、Ⅱ一Ⅵ族化合物(如硫化鎘、硫化鋅等)。

A.晶體族化合物
B.Ⅲ-V族化合物
C.碳化合物
D.鋁族化合物

7.單項(xiàng)選擇題模擬電子技術(shù)是以()和場(chǎng)效應(yīng)管為關(guān)鍵電子器件。

A.示波器
B.電子管
C.半導(dǎo)體二極管、半導(dǎo)體三極管
D.換流器

9.單項(xiàng)選擇題模擬技術(shù)就是通過模擬電路的設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)某一()的技術(shù)。

A.邏輯功能
B.電壓功能
C.編程功能
D.計(jì)算功能

10.單項(xiàng)選擇題20世紀(jì)80年代末90年代初出現(xiàn)了以功率MOSFET和IGBT為代表的集()于一身的功率半導(dǎo)體復(fù)合器件。

A.低頻、高壓和大電流
B.高頻、低壓和大電流
C.高頻、高壓和大電流
D.高頻、高壓和小電流