單項(xiàng)選擇題交流耐壓試驗(yàn)是鑒定電氣設(shè)備()的最有效和最直接的方法。

A.絕緣電阻
B.絕緣強(qiáng)度
C.絕緣狀態(tài)
D.絕緣情況


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1.單項(xiàng)選擇題電氣設(shè)備的交流耐壓試驗(yàn)不能判斷()。

A.絕緣水平
B.絕緣的耐壓能力
C.絕緣電阻
D.絕緣強(qiáng)度

2.單項(xiàng)選擇題用單結(jié)晶體管作觸發(fā)電路主要是利用他的()性。

A.正阻
B.負(fù)阻
C.飽和
D.截止

3.單項(xiàng)選擇題下列()觸發(fā)方式不屬于可控硅觸發(fā)電路。

A.大功率二極管觸發(fā)
B.磁放大器觸發(fā)
C.單結(jié)晶體管觸發(fā)
D.正弦波同步觸發(fā)

5.單項(xiàng)選擇題三相橋式半控整流電路中,最大導(dǎo)通角是()度。

A.120
B.180
C.210
D.360

6.單項(xiàng)選擇題三相半波可控整流電路的最大移相范圍()度。

A.90
B.120
C.150
D.180

7.單項(xiàng)選擇題在可控整流電路中,輸出電壓隨控制角的變大而()。

A.變大
B.變小
C.不變
D.無規(guī)律

8.單項(xiàng)選擇題單相可控硅要滿足由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箺l件,應(yīng)采取的措施是()。

A.升高陽極電壓
B.降低陰極電壓
C.斷開陽極電源
D.斷開控制電路

9.單項(xiàng)選擇題單相可控硅由導(dǎo)通變?yōu)榻刂?,要滿足()條件。

A.升高陽極電壓
B.降低陰極電壓
C.斷開控制電路
D.正向電流小于最小維持電流

10.單項(xiàng)選擇題普通晶閘管門極與陰極間的反向電阻比正向電阻()。

A.稍大
B.基本相等
C.明顯大一些
D.小一些