A.0.5l
B.1.40
C.1.96
D.2.00
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A.在其外部，即r＞R處的磁場(chǎng)與載同等電流的長直導(dǎo)線的磁場(chǎng)相同
B.r＞R處任一點(diǎn)的磁場(chǎng)強(qiáng)度大于載流長直導(dǎo)線在該點(diǎn)的磁場(chǎng)強(qiáng)度
C.r＞R處任一點(diǎn)的磁場(chǎng)強(qiáng)度小于載流長直導(dǎo)線在該點(diǎn)的磁場(chǎng)強(qiáng)度
D.在其內(nèi)部，即r＜R處的磁場(chǎng)強(qiáng)度與r成反比
真空中有兩根互相平行的無限長直導(dǎo)線L1和L2，相距0.1m。通有方向相反的電流，I1＝20A，I2＝10A，a點(diǎn)位于L1L2之間的中點(diǎn)，且與兩導(dǎo)線在同一平面內(nèi)，如圖所示，則a點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為（）。
A.0
B.（100/π）μ0T
C.（200/π）μ0T
D.（300/π）μ0T
用一根硬導(dǎo)線彎成半徑為R的半圓形，將其置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的均勻磁場(chǎng)中，以頻率f旋轉(zhuǎn)，如圖所示，這個(gè)導(dǎo)體回路中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)ε等于（）。
A.A
B.B
C.C
D.D
最新試題
如圖所示電路中，A點(diǎn)和B點(diǎn)的電位分別是（）V。
圖示電路具有（）。
如圖所示的電路為（）。
電路如圖所示，設(shè)DA、DB為理想二極管，當(dāng)VA＝3V、VB＝6V時(shí)，電流I＝（）mA。
晶體管單管放大電路如圖所示，其中電阻RB可調(diào)，當(dāng)輸入ui、輸出uo的波形如圖所示時(shí)，輸出波形（）。
晶體管非門電路如圖所示，已知Ucc＝15V，UB＝－9V，Rc＝3kΩ，RB＝20kΩ，β＝40，當(dāng)輸入電壓U1＝5V時(shí)，要使晶體管飽和導(dǎo)通，Rx的值不得大于（）kΩ。（設(shè)UBE＝0.7V，集電極和發(fā)射極之間的飽和電壓Uces＝0.3V）
如圖所示電路中，已知穩(wěn)壓管Dz1、Dz2的穩(wěn)定電壓分別為7V和7.5V，正向?qū)▔航稻鶠?.7V，輸出電壓U等于（）V。
由JK觸發(fā)器組成的應(yīng)用電路如圖所示，設(shè)觸發(fā)器的初值都為0，經(jīng)分析可知這是一個(gè)（）。
如圖所示的放大電路，因靜態(tài)工作點(diǎn)不合適而使u0出現(xiàn)嚴(yán)重的截止失真，通過調(diào)整偏置電阻RB，可以改善u0的波形，調(diào)整方法是應(yīng)使RB（）。
圖示的晶體管均為硅管，測(cè)量的靜態(tài)電位如圖所示，處于放大狀態(tài)的晶體管是（）。