A.輸出MOS管的漏極是開路的
B.可以實現(xiàn)線與功能
C.可以用來實現(xiàn)邏輯電平轉換
D.帶負載能力強
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A.CD4511
B.CD4017
C.74LS373
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B.十進制數(shù)
C.八進制數(shù)
D.十六進制數(shù)
A.智能機械位置檢測裝置
B.會場用的音頻擴音機
C.高級照明燈具
D.數(shù)字電壓表
A.基本RS觸發(fā)器
B.同步D觸發(fā)器
C.主從JK觸發(fā)器
D.維持-阻塞D觸發(fā)器
A.半導體數(shù)碼管
B.液晶數(shù)碼管
C.熒光數(shù)碼管
D.輝光數(shù)碼管
最新試題
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時輸入()路編碼信號。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少?
若停電數(shù)分鐘后恢復供電,()中的信息能夠保持不變。
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字數(shù)與外部地址線數(shù)n的關系一般為()
判斷如下VHDL的操作是否正確,如不正確,請改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT,c是INTEGER,執(zhí)行c<=a+b。
試提出數(shù)字頻率計的三種設計方案,比較各種方案的特點。如果用HDPLD來實現(xiàn),設計方案是最佳嗎?簡述理由。
()在計算機系統(tǒng)中得到了廣泛的應用,其中一個重要用途是構成數(shù)據(jù)總線。
一個VHDL模塊是否必須有一個實體和一個結構體?是否可以有多個實體和結構體?簡述它們的作用。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴展可以獲得4M×8的存儲器。