單項(xiàng)選擇題以下四種轉(zhuǎn)換器，（）是A/D轉(zhuǎn)換器且轉(zhuǎn)換速度最高。
A.并聯(lián)比較型
B.逐次逼近型
C.雙積分型
D.施密特觸發(fā)器
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1.單項(xiàng)選擇題將幅值上、時(shí)間上離散的階梯電平統(tǒng)一歸并到最鄰近的指定電平的過程稱為（）。
A.采樣
B.量化
C.保持
D.編碼
2.單項(xiàng)選擇題用二進(jìn)制碼表示指定離散電平的過程稱為（）。
A.采樣
B.量化
C.保持
D.編碼
3.單項(xiàng)選擇題一個(gè)無符號(hào)4位權(quán)電阻DAC，最低位處的電阻為40KΩ，則最高位處電阻為（）。
A.4KΩ
B.5KΩ
C.10KΩ
D.20KΩ
4.單項(xiàng)選擇題將一個(gè)時(shí)間上連續(xù)變化的模擬量轉(zhuǎn)換為時(shí)間上斷續(xù)（離散）的模擬量的過程稱為（）。
A.采樣
B.量化
C.保持
D.編碼
5.單項(xiàng)選擇題一個(gè)無符號(hào)10位數(shù)字輸入的DAC，其輸出電平的級(jí)數(shù)為（）。
A.4
B.10
C.1024
D.2
最新試題
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少？
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象，如何避免空翻？
題型：?jiǎn)柎痤}
一個(gè)兩輸入端的門電路，當(dāng)輸入為10時(shí)，輸出不是1的門電路為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D，則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下代碼中為無權(quán)碼的為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下哪個(gè)編碼不能是二－十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題