單項選擇題以下四種轉換器，（）是A/D轉換器且轉換速度最高。
A.并聯(lián)比較型
B.逐次逼近型
C.雙積分型
D.施密特觸發(fā)器
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題將幅值上、時間上離散的階梯電平統(tǒng)一歸并到最鄰近的指定電平的過程稱為（）。
A.采樣
B.量化
C.保持
D.編碼
2.單項選擇題用二進制碼表示指定離散電平的過程稱為（）。
A.采樣
B.量化
C.保持
D.編碼
3.單項選擇題一個無符號4位權電阻DAC，最低位處的電阻為40KΩ，則最高位處電阻為（）。
A.4KΩ
B.5KΩ
C.10KΩ
D.20KΩ
4.單項選擇題將一個時間上連續(xù)變化的模擬量轉換為時間上斷續(xù)（離散）的模擬量的過程稱為（）。
A.采樣
B.量化
C.保持
D.編碼
5.單項選擇題一個無符號10位數(shù)字輸入的DAC，其輸出電平的級數(shù)為（）。
A.4
B.10
C.1024
D.2
最新試題
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是（）。
題型：單項選擇題
（）在計算機系統(tǒng)中得到了廣泛的應用，其中一個重要用途是構成數(shù)據(jù)總線。
題型：單項選擇題
試提出數(shù)字頻率計的三種設計方案，比較各種方案的特點。如果用HDPLD來實現(xiàn)，設計方案是最佳嗎？簡述理由。
題型：問答題
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是（）
題型：單項選擇題
DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少？
題型：問答題
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字數(shù)與外部地址線數(shù)n的關系一般為（）
題型：單項選擇題
采用浮柵技術的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：單項選擇題
兩個與非門構成的基本RS觸發(fā)器，當Q=1、Q=0時，兩個輸入信號R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會（）。
題型：單項選擇題
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
題型：單項選擇題
如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉換為數(shù)字信號，要求輸入每變化20mV，輸出信號的最低位（LSB）發(fā)生變化，應選用（）位ADC。
題型：單項選擇題