單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體硅材料制備中產(chǎn)生的硅烷在常溫下是一種氣體，其分子式為（）。
A.SiH2
B.SiH
C.SiH3
D.SiH4
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1.單項(xiàng)選擇題將硅錠切割成硅片的過程中，多線切割對(duì)硅片造成的損傷層的厚度約為（）μm。
A.10
B.20
C.5
D.15
2.單項(xiàng)選擇題光伏電池組件電學(xué)特性測(cè)試中不必用到的設(shè)備是（）。
A.氣壓表
B.電流表
C.電壓表
D.滑動(dòng)變阻器
3.單項(xiàng)選擇題測(cè)量太陽電池的電學(xué)性能可以歸結(jié)為測(cè)量它的（）。
A.光譜響應(yīng)
B.光學(xué)特性
C.伏安特性
4.單項(xiàng)選擇題下列屬于制作非晶硅太陽電池常用的方法的是（）。
A.三氯氫硅還原法
B.輝光放電法
C.硅烷熱分解法
D.四氯化硅還原法
5.單項(xiàng)選擇題制作太陽電池的工藝中不包括下列哪個(gè)方面（）。
A.硅片表面準(zhǔn)備
B.制備防透膜
C.去背結(jié)
D.制結(jié)
最新試題
從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的，而且每來一個(gè)脈沖它就加一，很顯然它是一個(gè)（）加法計(jì)數(shù)器。
題型：單項(xiàng)選擇題
全加器的輸出信號(hào)是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算，涉及到了（）測(cè)量和自動(dòng)控制等方面
題型：多項(xiàng)選擇題
集成運(yùn)放的反相輸入端，當(dāng)輸入信號(hào)（ui1）由此輸入時(shí)，輸出信號(hào)（u0）與輸入ui1同相。
題型：判斷題
如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí)，74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
二極管外接正向電壓，P區(qū)應(yīng)接電源（）
題型：單項(xiàng)選擇題
反相比例運(yùn)算電路，平衡電阻的求法：令ui=0，則uo=0，此時(shí)反相端對(duì)地總電阻值，即為所求平衡電阻值。
題型：判斷題
平衡電阻是保證了集成運(yùn)放兩個(gè)輸入端，靜態(tài)時(shí)外接電阻相等。
題型：判斷題
下面哪個(gè)集成元件為四位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列受時(shí)鐘控制的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題