單項(xiàng)選擇題由4M×1位DRAM存儲(chǔ)芯片構(gòu)成8M×8位高集成度的內(nèi)存條，所需該存儲(chǔ)芯片的片數(shù)為（）

A.4
B.8
C.16
D.32


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1.單項(xiàng)選擇題PC/104總線的引腳為（）

A.62根
B.128根
C.98根
D.104根

2.單項(xiàng)選擇題SRAM是利用（）來(lái)存儲(chǔ)0和1的。

A.內(nèi)部熔絲是否斷開(kāi)
B.雙穩(wěn)觸發(fā)器的兩個(gè)穩(wěn)態(tài)
C.極間電荷是否積累足夠的電荷
D.浮置柵是否有足夠的電荷

3.單項(xiàng)選擇題當(dāng)8253工作在方式0時(shí)，在計(jì)數(shù)過(guò)程中，門控信號(hào)GATE變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，對(duì)計(jì)數(shù)器影響是（）

A.結(jié)束本次計(jì)數(shù)，等待下一次計(jì)數(shù)開(kāi)時(shí)
B.暫?，F(xiàn)行計(jì)數(shù)
C.不影響本次計(jì)數(shù)工作
D.結(jié)束本次計(jì)數(shù)循環(huán)，立即開(kāi)始新的計(jì)數(shù)

4.單項(xiàng)選擇題Intel2764A在讀出工作方式時(shí)、的電位應(yīng)分別為（）

A.1、1
B.0、0
C.0、1
D.1、0