單項(xiàng)選擇題寄存器AH中的內(nèi)容是7AH，則執(zhí)行SUBAH，70H后，AH的內(nèi)容變?yōu)椋ǎ?/strong>
A.08H
B.09H
C.0AH
D.0BH
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1.單項(xiàng)選擇題若寄存器AL的內(nèi)容為28H，則執(zhí)行DECAL指令后，AL的內(nèi)容為（）
A.27H
B.28H
C.29H
D.2AH
2.單項(xiàng)選擇題若寄存器AL的內(nèi)容為48H，則執(zhí)行INCAL指令后，AL的內(nèi)容為（）
A.47H
B.48H
C.49H
D.4AH
3.單項(xiàng)選擇題
執(zhí)行以下指令
MOV AL，7CH
MOV BL，5DH
ADD AL，BL
的結(jié)果是（）
A.D8H
B.D9H
C.DAH
D.DBH
4.單項(xiàng)選擇題SRAM芯片6264在尋址時(shí)需要（）根地址線
A.9
B.10
C.12
D.13
5.單項(xiàng)選擇題8086CPU中稱為目的變址寄存器的寄存器是（）
A.AX
B.BX
C.CX
D.DI