對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

下列是晶體的是（）。 

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。