硅片拋光在原理上不可分為（）

下列是晶體的是（）。 

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）