A.電離室的方向性、桿效應(yīng)及溫度氣壓的影響
B.電離室的工作電壓、桿效應(yīng)及溫度氣壓的影響
C.電離室的工作電壓、方向性、桿效應(yīng)及溫度氣壓的影響
D.電離室的工作電壓、方向性、桿效應(yīng)及溫度氣壓的影響
E.電離室的工作電壓、方向性、一致性及溫度氣壓的影響
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A.空氣劑量計、半導體劑量計、膠片劑量計、熒光板
B.熱釋光劑量儀、半導體劑量計、膠片劑量計、光電倍增管
C.電離室型劑量儀、半導體劑量計、熱釋光劑量儀、膠片劑量計
D.非晶硅探測器、電離室型劑量儀、半導體劑量計、膠片劑量計
E.熒光板、半導體劑量計、膠片劑量計、熱釋光劑量儀
A.加上俄歇電子的能量時
B.加上韌致輻射損失的能量時
C.忽略韌致輻射損失的能量時
D.忽略俄歇電子的能量時
E.加上俄歇電子和韌致輻射損失的能量時
A.100cGy
B.150cGy
C.180cGy
D.200cGy
E.250cGy
A.100cGy
B.150cGy
C.180cGy
D.200cGy
E.250cGy
A.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而減少,直到吸收劑量達到最小
B.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而增加,直到吸收劑量達到最大
C.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加先增加然后減少,直到吸收劑量達到最小
D.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而增加,直到吸收劑量達到最小
E.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而減少,直到吸收劑量達到最大
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