單項選擇題在義齒基托覆蓋區(qū)內(nèi)，不需要緩沖模型的部位是（）。
A.上頜腭隆突區(qū)
B.下頜舌隆突
C.下頜舌骨嵴區(qū)
D.上頜結(jié)節(jié)
E.下頜舌側(cè)翼緣區(qū)
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1.單項選擇題支架模型緩沖時在缺牙區(qū)牙槽嵴表面和需塑料包埋的連接體相應部位表面均應襯墊薄層蠟片，其厚度一般為（）。
A.0.5～0.7mm
B.0.1～0.2mm
C.1.0～1.5mm
D.2.0～3.0mm
E.3.0～5.0mm
2.單項選擇題采用正硅酸乙酯包埋料包埋，其最佳粉液比為（）。
A.3：1
B.1：1
C.4：1
D.3：2
E.5：1
3.單項選擇題配制石膏、石英系外包埋料，石膏與石英砂的最佳比例是（）。
A.1：1
B.4：1
C.1：2
D.1：3
E.1：4
4.單項選擇題烘烤鑄圈時升溫不能過快，從室溫升至400℃，升溫時間不得低于（）。
A.20min
B.30min
C.10min
D.60min
E.2h
5.單項選擇題當烘烤鑄圈的溫度升至400℃時，尚需維持（）。
A.10min
B.30min
C.5min
D.1h
E.2h
6.單項選擇題熔模在鑄圈內(nèi)距離圈的內(nèi)壁、圈的頂端的要求正確的是（）。
A.距內(nèi)壁至少3～5mm，頂端8～10mm
B.距內(nèi)壁至少3～5mm，頂端3～5mm
C.距內(nèi)壁至少8～10mm，頂端3～5mm
D.距內(nèi)壁至少1～2mm，頂端3～5mm
E.距內(nèi)壁至少3～5mm，頂端1～2mm
7.單項選擇題彎制卡環(huán)的連接體應保持離開組織面約多少為宜（）。
A.0.5mm
B.0.1mm
C.0.2mm
D.越多越好
E.1.5～2.0mm
8.單項選擇題在鑄造支架的組成部分中，起連接人工牙的部分是（）。
A.大連接體
B.網(wǎng)狀連接體
C.支架支點
D.鄰面板
E.
支托
9.單項選擇題為避開鑄造熱中心，熔模應位于鑄圈靠近頂端的（）。
A.2/5的高度內(nèi)
B.1/2的高度內(nèi)
C.2/3的高度內(nèi)
D.1/5的高度內(nèi)
E.離頂端越近越好
10.單項選擇題RPI卡環(huán)的最佳適應證是（）。
A.多個前牙缺失，且前牙組織倒凹較大的患者
B.缺隙前后都有基牙且缺隙處組織倒凹較大者
C.單個前牙缺失患者
D.遠中游離缺失，且無組織倒凹者
E.遠中游離缺失，且組織倒凹較大者