單項(xiàng)選擇題熱釋光劑量計(jì)探測(cè)射線的依據(jù)是（）。

A.電離作用
B.熒光現(xiàn)象
C.晶體受熱時(shí)發(fā)光量越大，表明它接受的累積輻射量越大
D.康普頓散射
E.光電效應(yīng)


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1.單項(xiàng)選擇題放射性核素示蹤技術(shù)研究物質(zhì)在體內(nèi)過(guò)程中量變規(guī)律，主要涉及兩個(gè)方面是（）。

A.示蹤概念，細(xì)胞攝取概念
B.示蹤概念，自顯影概念
C.示蹤概念，動(dòng)力學(xué)概念
D.動(dòng)力學(xué)概念，細(xì)胞攝取概念
E.自顯影概念，細(xì)胞攝取概念

2.單項(xiàng)選擇題γ計(jì)數(shù)器探測(cè)射線的依據(jù)是（）。

A.電離作用
B.熒光現(xiàn)象
C.感光效應(yīng)
D.康普頓散射
E.光電效應(yīng)

3.單項(xiàng)選擇題氣體閃爍探測(cè)器探測(cè)射線的依據(jù)是（）。

A.電離作用
B.熒光現(xiàn)象
C.感光效應(yīng)
D.康普頓散射
E.光電效應(yīng)

4.單項(xiàng)選擇題PET探測(cè)射線依據(jù)的是（）。

A.電離作用
B.熒光現(xiàn)象
C.感光效應(yīng)
D.康普頓散射
E.光電效應(yīng)

5.單項(xiàng)選擇題SPECT［NaI（Tl）晶體］探測(cè)射線依據(jù)的是（）。

A.電離作用
B.熒光現(xiàn)象
C.感光效應(yīng)
D.康普頓散射
E.光電效應(yīng)