如圖10-74所示，真空中有一無限大帶電平板，其上電荷密度為σ，在與其相距x的A點(diǎn)處電場強(qiáng)度為（）。

真空中有一個(gè)半徑為a的均勻帶電球，其電荷體密度為ρ，帶電球內(nèi)的電場為（）。

如圖10-75所不，兩無限大平行帶電平板，它們帶面密度為σ的異號(hào)電荷，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電場強(qiáng)度和兩板間的電壓U分別為（）。

如圖10-72所示，真空中有一個(gè)半徑為a的帶電金屬球，其電荷量為q，帶電球外的電場為（）。

在R、L串聯(lián)電路中，激勵(lì)信號(hào)產(chǎn)生的電流響應(yīng)（零狀態(tài)響應(yīng)）iL（t）中（）。

已知圖10-77中電容器極板間的距離為d，極板面積為S，ε1介質(zhì)厚度為d／2，則該電容器的電容應(yīng)為（）。

電真空中無限長、半徑為a的帶電圓筒上電荷面密度為σ（σ是常數(shù)），則圓筒內(nèi)與軸線相距r處的電場強(qiáng)度為（）。

如圖10-78所示，一個(gè)圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì)，內(nèi)導(dǎo)體半徑R1=1cm，外導(dǎo)體半徑R3=4cm，內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1，厚度為1cm，外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2，厚度為2cm，內(nèi)外層導(dǎo)體間的電位差為1000V（以外導(dǎo)體為參考點(diǎn)）。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場強(qiáng)度相等，則外層2介質(zhì)上的電位差為（）V。

兩個(gè)平行帶電平板，每個(gè)平板的面積為S，相距d，且d＜＜S，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電容量是（）。

一同軸電纜長1=2m，其芯線導(dǎo)體半徑r1=1cm，鉛皮外殼內(nèi)半徑r2=6cm，導(dǎo)體間絕緣材料的電阻率ρ=1×109Ω*m，當(dāng)內(nèi)導(dǎo)體與外殼間電壓U0為500V時(shí)，絕緣層中漏電流為（）。