某電源向一負載電阻RL供電(圖10-6)。當負載電阻RL從100Q減至10Ω,負載電壓U約下降1%,則該電源是()。
A.理想電壓源
B.理想電流源
C.含有內(nèi)阻R0≈0.1Ω的電壓源
D.不能確定
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A.較大
B.較小
C.不確定
D.不變
圖10-5示電路中,供出功率的電源是()。
A.理想電壓源
B.理想電流源
C.理想電壓源與理想電流源
D.不能確定
把圖10-4a所示的電路改為圖b所示的電路,其負載電流I1和I2將()。
A.增大
B.不變
C.減小
D.不能確定
圖10-3所示電路中,當R1增加時,電流I2將()。
A.變大
B.變小
C.不變
D.不能確定
A.越高
B.越低
C.不能確定
D.不變
最新試題
半徑R0=0.5m的半球形接地電極,淺埋于電導(dǎo)率為γ=1.91×10-2S/m的土壤中(圖10-82),該半球電極的接地電阻為()Ω。
如圖10-78所示,一個圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì),內(nèi)導(dǎo)體半徑R1=1cm,外導(dǎo)體半徑R3=4cm,內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1,厚度為1cm,外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2,厚度為2cm,內(nèi)外層導(dǎo)體間的電位差為1000V(以外導(dǎo)體為參考點)。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場強度相等,則外層2介質(zhì)上的電位差為()V。
如圖10-76所示,圖中平板電容器的上部空間填充介電系數(shù)為ε0的介質(zhì),所對應(yīng)的極板面積為S0,下部介質(zhì)的介電系數(shù)為ε1,所對應(yīng)的極板面積為S1,極板的間距為d,該電容器的電容量為()。
在R、L串聯(lián)電路中,激勵信號產(chǎn)生的電流響應(yīng)(零狀態(tài)響應(yīng))iL(t)中()。
真空中有一個半徑為a的金屬球,其電容為()。
如圖10-74所示,真空中有一無限大帶電平板,其上電荷密度為σ,在與其相距x的A點處電場強度為()。
在圖10-69所示電路中,開關(guān)S在t=0瞬間閉合,若uC(0-)=5V,則uL(0+)=()V。
真空中有一個半徑為a的均勻帶電球,其電荷體密度為ρ,帶電球內(nèi)的電場為()。
已知圖10-77中電容器極板間的距離為d,極板面積為S,ε1介質(zhì)厚度為d/2,則該電容器的電容應(yīng)為()。
均勻傳輸線的原參數(shù):R0=6.5Ω/km,L0=2.29mH/km,C0=5.22×103pF/km,C0=0.5×10-6S/km,則傳輸線在頻率為1000Hz時的傳播速度v+、波長λ分別為()。