單項選擇題一般將IP上產(chǎn)生（）的照射量作為基礎(chǔ)的目標照射量

A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR


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1.單項選擇題CR的第三象限英文簡稱（）

A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP

2.單項選擇題CR四象限理論中，第四象限對應(yīng)的曲線為（）

A.照片特性曲線
B.增感屏特性曲線
C.IP特性曲線
D.光激勵熒光物的特性曲線
E.FPD特性曲線

3.單項選擇題CR中IP的線性范圍是（）

A.1：102
B.1：103
C.1：104
D.1：105
E.1：106

4.單項選擇題CR中EDR的中文全稱是（）

A.影像記錄裝置
B.曝光數(shù)據(jù)識別器
C.薄膜晶體管陣列
D.光電倍增管
E.曝光指示器

5.單項選擇題CR中光激勵發(fā)光的波長為（）

A.100～200nm
B.390～490nm
C.290～390nm
D.200～300nm
E.190～290nm