單項選擇題一般將IP上產(chǎn)生（）的照射量作為基礎的目標照射量
A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題CR的第三象限英文簡稱（）
A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP
2.單項選擇題CR四象限理論中，第四象限對應的曲線為（）
A.照片特性曲線
B.增感屏特性曲線
C.IP特性曲線
D.光激勵熒光物的特性曲線
E.FPD特性曲線
3.單項選擇題CR中IP的線性范圍是（）
A.1：102
B.1：103
C.1：104
D.1：105
E.1：106
4.單項選擇題CR中EDR的中文全稱是（）
A.影像記錄裝置
B.曝光數(shù)據(jù)識別器
C.薄膜晶體管陣列
D.光電倍增管
E.曝光指示器
5.單項選擇題CR中光激勵發(fā)光的波長為（）
A.100～200nm
B.390～490nm
C.290～390nm
D.200～300nm
E.190～290nm
6.單項選擇題要想將使用過的IP再次使用，必須（）
A.使用高能射線照射
B.使用電流消除殘存電荷
C.使用顯影液、定影液重寫
D.使用清水沖洗
E.使用強光照射消除數(shù)據(jù)
7.單項選擇題CR成像時，將光信號轉化為電信號的是（）
A.IP
B.FPD
C.光電倍增管
D.攝像機
E.非晶硒
8.單項選擇題DICOM在各種設備間主要傳送的是（）
A.電子數(shù)據(jù)
B.圖像
C.聲音
D.視頻信號
E.醫(yī)學圖像及其信息
9.單項選擇題CR成像過程中，IP將X線轉化為（）
A.電信號
B.可見光
C.數(shù)字信號
D.高能射線
E.銀離子
10.單項選擇題光激勵熒光體中，常摻入（）以改變熒光體的結構和物理特性
A.Al3+
B.Eu2+
C.Cu2+
D.TI2+
E.Se2+