A.光電吸收系數(shù)
B.康普頓吸收系數(shù)
C.電子對(duì)吸收系數(shù)
D.上述三種吸收系數(shù)之和
E.上述三種吸收系數(shù)之差
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A.平方反比規(guī)律
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E.高斯級(jí)數(shù)
A.20kV低能X線
B.30kV低能X線
C.鈷γ線或高能X線
D.高能電子線
E.以上任意一種射線均可
A.10~30keV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
B.10~30keV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
C.10~30keV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
D.10~30keV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
E.10~30keV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
A.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),康普頓效應(yīng)為主
B.對(duì)中能γ線和原子序數(shù)低的物質(zhì),光電效應(yīng)為主
C.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),電子對(duì)效應(yīng)為主
D.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),光電效應(yīng)為主
E.對(duì)高能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),康普頓效應(yīng)為主
A.是光子在原子核外電子作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)反沖電子和一個(gè)負(fù)電子的過(guò)程
B.是光子在原子核外電子作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)正電子和一個(gè)負(fù)電子的過(guò)程
C.是光子在原子核庫(kù)侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)反沖電子和一個(gè)負(fù)電子的過(guò)程
D.是光子在原子核庫(kù)侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)正電子和一個(gè)負(fù)電子的過(guò)程
E.是光子在原子核庫(kù)侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為兩個(gè)電子的過(guò)程
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電子線穿過(guò)物質(zhì)時(shí)()
對(duì)60鈷的γ射線和加速器的6MV的X射線所使用的低熔點(diǎn)鉛厚度一般是()
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