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單項(xiàng)選擇題 三相橋式半控整流電路中，每只晶閘管承受的最高正反向電壓為變壓器二次相電壓的（）倍。

A.A
B.B
C.C
D.D

1.單項(xiàng)選擇題電子設(shè)備抗干擾常用的隔離法是（）。

A.用變壓器隔離
B.用光耦隔離
C.用繼電器隔離
D.A、B、C三種

2.單項(xiàng)選擇題選擇接地方式應(yīng)根據(jù)電路工作頻率來確定，當(dāng)頻率f ＜1MHz時(shí)，可以（）。

A.采用多點(diǎn)接地方式
B.采用一點(diǎn)接地方式
C.不采用接地
D.采用安全接地

3.單項(xiàng)選擇題對(duì)于低頻磁場干擾以及恒定磁場的影響，應(yīng)采用（）作屏蔽體，這可使干擾磁場的磁力線大部分經(jīng)屏蔽體構(gòu)成磁回路，從而隔離或削弱了磁場干擾的耦合通路。

A.鐵
B.鋁
C.銅
D.鋅

4.單項(xiàng)選擇題從自動(dòng)控制的角度來看，晶閘管中頻電源裝置在感應(yīng)加熱時(shí)是一個(gè)（）。

A.開環(huán)系統(tǒng)
B.人工閉環(huán)系統(tǒng)
C.自動(dòng)閉環(huán)系統(tǒng)
D.半開環(huán)系統(tǒng)

5.單項(xiàng)選擇題為了確保電力電子裝置安全可靠的運(yùn)行，必須正確選用電力電子器件，容量為600～4000 kV·A的裝置一般采用（）。

A.GR
B.IGBT
C.GO晶閘管
D.MOSFE

6.單項(xiàng)選擇題為了降低電力晶體管在開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中的損耗，提高系統(tǒng)的安全可靠性，必須采用合理的（）驅(qū)動(dòng)電路。

A.基極
B.集電極
C.柵極
D.發(fā)射極

7.單項(xiàng)選擇題絕緣柵雙極型晶體管簡稱（）。

A.MOSFE
B.IGBT
C.GR
D.GO

8.單項(xiàng)選擇題雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)（）。

A.均為電壓控制
B.均為電流控制
C.雙極型晶體管為電壓控制，場效應(yīng)晶體管為電流控制
D.雙極型晶體管為電流控制，場效應(yīng)晶體管為電壓控制

9.單項(xiàng)選擇題在數(shù)字電路中，控制整個(gè)電路按規(guī)定的時(shí)間順序進(jìn)行工作，并起著時(shí)間標(biāo)準(zhǔn)作用的是（）。

A.高電平
B.低電平
C.鐘控信號(hào)（CT ）
D.高低電平

10.單項(xiàng)選擇題譯碼器屬于（）。

A.時(shí)序數(shù)字電路
B.組合邏輯數(shù)字電路
C.運(yùn)算電路
D.集成電路