單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于義齒支架電解拋光正確的是（）。

A.金屬表面凹處產(chǎn)生鈍化，凸處產(chǎn)生電化學(xué)溶解
B.電解液在鑄件周圍產(chǎn)生氣泡時(shí)不能攪動(dòng)
C.鑄件掛在負(fù)極上
D.電解時(shí)間以20～50min為宜
E.以上均不正確


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于整裝法下列敘述不正確的是（）。

A.模型支架，人工牙的唇頰面均包埋在下層型盒
B.人工牙易移位
C.卡環(huán)不易移位
D.適用于前牙唇側(cè)基托的可摘局部義齒
E.咬合關(guān)系穩(wěn)定

2.單項(xiàng)選擇題下列哪項(xiàng)不是可摘局部義齒卡環(huán)移位的原因（）。

A.包埋的石膏強(qiáng)度不夠
B.開盒去蠟時(shí)包埋石膏折斷
C.填塞塑料過早
D.堵塞塑料過晚
E.熱處理后開盒過早

3.單項(xiàng)選擇題磷酸鹽結(jié)合劑包埋材料的特點(diǎn)是（）。

A.較低的凝固膨脹，較高的溫度膨脹
B.較高的凝固膨脹，較低的溫度膨脹
C.溫度膨脹和凝固膨脹均較高
D.溫度膨脹和凝固膨脹均較低
E.以上均不正確

5.單項(xiàng)選擇題下列與倒凹有關(guān)的敘述，你認(rèn)為哪項(xiàng)是錯(cuò)誤的（）。

A.觀測(cè)線以下的部分稱為基牙的倒凹區(qū)
B.在基牙倒凹深度相同時(shí)，倒凹坡度越大，卡環(huán)固位力越大
C.倒凹的坡度一般應(yīng)大于20°
D.鑄造卡環(huán)臂要求的倒凹深度較大，一般在1mm左右
E.通過調(diào)凹法可以改變基牙倒凹的深度和坡度