下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

下列是晶體的是（）。 

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

可用作硅片的研磨材料是（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。